电子发烧友企业号产品列表半导体电子元器件芯片产品资料

  MAGB-104450-015B0P是一种宽带GaN on Si HEMT D型晶体管，专为蜂窝基站应用设计，并针对4.4-5.0 GHz调制信号操作进行了优化。该设备支持脉冲和线性操作，峰值输出功率水平为15W（41.8 dBm），采用6x3mm DFN封装。MAGB-104450-015B0P产品规格零件编号 MAGB-104450-015B0P简短

  9122R5K-BSP-1的系列电容器设计用于方便面包板或在需要修剪功能的地方使用。这些设备具备了与我们的9000和9100系列芯片电容器相同的介电层和接合面。通过并联焊盘，电容值是相加的，因此能进行多种组合。BSP-1芯片提供与BOO和BSP-3相同的电容值，但芯片稍大，布局更灵活，便于粘接。9122R5K-BSP-1产品规格零件编号 9122R5K-

  MA4M1100（金属氮化物硅）芯片电容器专为微波电路应用中的高可靠性和可重复性能而设计。这些电容器由低压化学气相沉积（LPCVD）制成，形成致密、均匀的氮化物层。与类似的MOS、MIS和陶瓷电容器相比，这一些器件具有更高的单位面积电容（导致更小的芯片尺寸）和更强的坚固性。蒸发金触点用于在电容器芯片上提供易于粘合的金属垫。MACOM的MNS电容器在150摄氏度

  ABE3DC/ABE3DCF - 3W 扩展 C 波段 (5.850 - 6.725 GHz) BUC

  ABE3DC/ABE3DCF - 3W 扩展 C 波段 (5.850 - 6.725 GHz) BUC ABE3DC/ABE3DCF 规格输出接口 波导，CPR-137输出功率 +34.7 dBm 最低温度转换增益 标称 60 分贝所需 频率 外部参考输入电源相位噪声 10 MHz（正弦波）-5 至 +5 dBm @ 输入端

  QPA2263A产品简介QPA2263A 是一款高性能 SiGe HBT MMIC 放大器。达林顿配置提供高 FT 和出色的热性能。异质结增加击穿电压并最小化结之间的漏电流。发射结非线性的消除导致互调产物的更高抑制。利用降压电阻器，QPA2263A 可以在各种电源电压下运行。两个 DCblocking 电容器、旁路电容器和一个可选的 RF 扼流圈完成了这

  CMD283C3产品简介Qorvo 的 CMD283C3 是一款宽带 MMIC 低噪声放大器，采用无引线 毫米表面贴装封装。CMD283C3 很适合需要小尺寸和低功耗的电子战和通信系统。该器件针对宽带性能进行了优化，在 4 GHz 时提供 27 dB 的增益和 0.6 dB 的相应噪声系数。CMD283C3 是一种 50 欧姆匹配设计，无需外部直流

  QPL1002产品简介QPL1002 是一款宽带级联低噪声放大器，采用 Qorvo 的 0.25um GaN on SiC 生产的基本工艺制造。该共源共栅 LNA 可承受 5W 的输入功率，在 0.03 GHz 至 3.0 GHz 范围内具有 17dB 的典型增益和 1.2dB 的噪声系数。QPL1002 很适合国防和商业市场的宽带通信应用。QPL1002 采用

  CMD275P4产品简介Qorvo 的 CMD275P4 是一款宽带 GaAs MMIC 低相位噪声放大器，采用无引线表面贴装封装，很适合军事、太空和通信系统。在 10 GHz 时，该器件提供 16 dB 的增益、+20.5 dBm 的饱和输出功率和 5.5 dB 的噪声系数。此外，对于 10 GHz 的输入信号，该放大器在 10 kHz 偏置时提供 -1

  QPA2966产品简介Qorvo 的 QPA2966 是一款宽带功率放大器，采用 Qorvo 的 QGaN15 GaN on SiC 工艺制造。QPA2966 的工作频率范围为 2 至 18 GHz，提供 20 W 的饱和功率。QPA2966 经过 100% DC 和 RF 测试，以确保符合电气规范。 产品规格最小频率(GHz) 2个最大频率(GHz) 18

  QPD1008产品简介Qorvo 的 QPD1008 是一款 125 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 3.2 GHz 和 50V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准气腔封装，非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该器件能支持脉冲、CW 和线性操作。 产品规格最